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 連載の第9回では,トランジスタのドレインと基板の間の寄生容量を減らしてLSIの性能を高めるSOI(silicon on insulator)基板技術を取り上げる。SOI基板技術は,微細化に頼らずにLSIの性能を向上させる「テクノロジ・ブースタ」の一種であり,すでに高速プロセサや低電力LSIなどで実用化されている。LSIのさらなる性能向上に向けて,ここに来て基板表面のSi層(SOI層)を50~10nm厚まで薄くしたり,ひずみSiやGeチャネルとSOIを組み合わせる技術の開発が活発化している。

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