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　「CTF：Charge Trap Flash」と呼ぶ新構造のNAND型フラッシュ・メモリーが注目を集めている。既存の浮遊ゲート構造に置き換わるNAND型の新構造として，韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が実現したためである。32GビットのCTF構造のNAND型を2006年9月に開発した。CTFの導入によって，同社はNAND型の微細化を20nm世代まで持続し，容量を256Gビットまで高められるとする。

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