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東芝は,GaN系半導体材料を使ったX帯(8~12GHz)対応のパワーFETを開発した。9.5GHz帯での出力は81.3Wであり,X帯では世界最高出力とする。電力付加効率は34%。チップ寸法は3.4mm×0.53mmである。電力密度は従来のGaAs系半導体材料を使う品種の約6倍と大きい。同社は今回の技術を使い,X帯向けに出力50WのパワーFETを製品化した。衛星通信基地局やレーダーで使うアンプ回路などに向け,既にサンプル出荷を始めている。半年以内には量産に移行したい考えである。同社は,2005年9月にC帯(4~8GHz)対応のパワーFETを開発したことを発表している。今後は,Ku帯(12~18GHz)以上の高い周波数で動作するパワーFETの開発を積極的に進めていくという。なお,パワーFETにはHEMT構造を用いている。

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