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 露光プロセスで長年使われてきた高分子レジストの限界を打破できる可能性を秘めた新材料が出てきた。東京応化工業と日立製作所が共同で開発した低分子レジストである。従来の高分子レジストは構成分子の寸法が大きいため,パターン側壁の凹凸であるLER(line edge roughness)を抑制しにくく,32nm世代以降の微細化は困難と考えられている。今回の低分子レジストは分子量が従来よりも1ケタ小さく,LERを低減しやすい。ただ,アイデア自体は出ていたものの,高解像度のパターンを形成できた事例はほとんどなかった。

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