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 ルネサス テクノロジは,2008年の量産を計画する45nm世代のSoC(system on a chip)に向けた低コストのCMOS技術を開発した。pMOSにメタル・ゲート,nMOSに多結晶Siゲートを使うハイブリッド構造とすることで,45nm世代に必要な駆動能力を従来に比べて低コストのプロセスで実現している。米国サンフランシスコで開催中の「2006 IEDM」で発表した(講演番号9.5)。携帯電話機用SoCなど,低待機電流が求められる用途に向ける。

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