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松下電器産業は,GaN系半導体を使ったノーマリー・オフ動作するパワーFET(GaN FET)を開発した。正孔注入による伝導度変調効果を利用し,オン抵抗を2.6mΩcm2と,ノーマリー・オン動作する従来の開発品と同等に抑えた。これまではノーマリー・オフ動作させるためにGaN FET構造を改良すると,オン抵抗が高くなってしまう問題があった。さらに今回のGaN FETは,駆動するためのゲート電圧が最大+6Vと高い。これにより,同+2V程度だったノーマリー・オン動作品と比べて駆動の制御性が高まったとする。耐圧は650V。基板にはSiを使った。同社は,今回のGaN FETを2006年12月11~13日に米国サンフランシスコで開催された「2006 IEEE International Electron Devices Meeting(IEDM 2006)」で発表した。

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