新規開発した表面処理技術による銅表面（Rz0.02〜0.04μm）
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従来の表面処理技術による銅表面（Rz0.5〜0.7μm）
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日立化成は，システム・イン・パッケージ（SiP）用の高密度配線基板に適した銅表面処理技術を開発した（発表資料）。従来比1/10以下である表面粗さ（Rz）20～40nmレベルの凹凸を均一に形成するもの。配線精度を確保しながら，多層基板に必要な絶縁層との接着力を従来並みに維持できるとしている。
これまでの表面処理技術では銅の溶解が大きく，精度を損なうため微細配線に対応することが難しかった。今回の新技術は，配線ピッチ10μmレベルの高密度配線にも適用できるという。
現在は試作研究の段階。今後，顧客のニーズに合わせて製品化を進めるとのこと。なお，この研究は，新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）基盤技術研究促進事業（民間基盤技術研究支援制度）からの委託研究により実施された。
