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2月21〜23日に都内で開催された「国際ナノテクノロジー総合展・技術会議(nano tech 2007)」にSamsungが出展したPRAM。評価用サンプルの出荷を始めた90nm世代品で,200mmウエーハに作製している。1チップ当たりの容量は512Mビットである。日経マイクロデバイスが撮影。
2月21〜23日に都内で開催された「国際ナノテクノロジー総合展・技術会議(nano tech 2007)」にSamsungが出展したPRAM。評価用サンプルの出荷を始めた90nm世代品で,200mmウエーハに作製している。1チップ当たりの容量は512Mビットである。日経マイクロデバイスが撮影。
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 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は,相変化型不揮発性メモリー(PRAM)の評価用サンプルの出荷を既に開始していることを明らかにした。複数の大手携帯電話機メーカーに,256M~512Mビットの90nm世代品を提供しているとする。2008年上期の量産に向け,2007年4~6月期にエンジニアリング・サンプル,2007年末までに商用サンプルの出荷を開始する意向である。

「引き合いはかなり強い」,2008年上期の量産を計画

 サンプル出荷を始めたPRAMの用途は,携帯電話機に使われるNOR型フラッシュ・メモリーの代替である(Tech-On!関連記事1)。PRAMのデータ書き込み速度はNOR型フラッシュより高速なため,携帯電話機メーカーはこのメモリーの採用によって出荷前のプログラム書き込み時間を短縮するなどのメリットを得られる。「携帯電話機メーカーからのPRAMの引き合いはかなり強い」(日本サムスン)といい,Samsungはこうした要望に応える形で「エンジニアリング・サンプルの前段階」(日本サムスン)とする性能評価用サンプルの出荷を2006年末頃に開始した。サンプル品は200mmウエーハで製造する90nm世代品である。このサンプル品に導入したプロセス技術について,同社は「2006 IEDM」で発表している(同2)。

 SamsungはNAND型フラッシュ・メモリーで業界最大手だが,NOR型フラッシュでは米Spansion Inc.や米Intel Corp.に市場をおさえされている(Tech-On!関連記事3)。Samsungは2006年下期に90nm世代のNOR型フラッシュの量産を始めた段階にあり,ほぼ同時期に65nm品の量産を開始したIntelなどに比べて後れをとっている(同4)。こうした背景から,「(NOR型フラッシュの代替に向ける)PRAMではいち早く採用実績を作り,他社との競争を優位に進めたい」(日本サムスン)との狙いがある。NOR型フラッシュ・メーカーの中では,Intelが90nm世代のPRAMの評価用サンプルを2007年1~3月期に出荷する意向を明らかにしている(同5)。