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米University of California,Santa Barbara校(UCSB) 教授の中村 修二氏の研究グループが開発した,GaN結晶の非極性面(nonpolar)上に作製した青紫色半導体レーザ(以下,非極性青紫色半導体レーザ)の詳細が明らかになった。同研究グループは,世界初の非極性青紫色半導体レーザを開発したとして2007年1月に発表していたものの,技術の詳細は論文誌への投稿中などの理由から詳細については明らかにしていなかった。今回,学会誌「Japanese Journal of Applied Physics(JJAP)」(Vol.46,No.9,2007)に掲載され,レーザ素子の特性や素子の構造などが明らかになった。

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