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 ニコンと仏CEA-LETI(フランス原子力庁 電子・情報技術研究所)は,32nm世代のLSI製造向け露光技術の開発で協業する(リリース)。2008年度末までをメドに,二回露光(ダブル・パターニング)および二重露光の量産適用の可能性を検討する。

 共同開発は,当初はCEA-LETIの研究施設「Nanotec 300」に以前から設置されているニコンのArFドライ露光装置を使って行う。今後,液浸ArF露光装置を新たに設置することも検討する。

32nm向け露光技術の有力候補

 2009~2010年頃に量産される32nm世代のLSI向け露光技術には,現状で三つの候補がある。(1)ダブル・パターニングおよび二重露光,(2)EUV(極端紫外線)露光,(3)高屈折率液体を使う液浸ArF露光である。このうち,(2)と(3)は対応する部材や装置の供給が間に合わないとの見方が現状では強く,「少なくとも32nmの量産初期には,ダブル・パターニングを使わざるを得ない」(大手LSIメーカーのプロセス技術者)との意見が出始めている。

 ダブル・パターニングと二重露光はいずれも,同じマスクによる露光を2回行うことで,1回露光に比べて転写パターンの解像度を高める方法である。前者では2回の露光の間にエッチング工程を挟み,後者では転写位置をずらして連続して露光する。