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 ハイブリッド自動車や電力系統などの制御に用いられるパワーデバイス向けとして,従来のSiより材料の物理特性にすぐれる炭化ケイ素(SiC)への期待が高まっている。ただし従来,純度の高いSiCを得るには長時間の化学成長プロセスが必要という問題があった。この問題を産業技術総合研究所(産総研)主任研究員の石田夕起氏が解決した。同氏が開発したCVD(化学的気相成長法)炉は,SiCのエピタキシャル成長速度を2ケタ早めることができる。これによって,SiC半導体の実用化が加速される可能性が出てきた。
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