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 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は,60nm世代のプロセス技術によるDRAMの量産を開始した。90nm世代や80nm世代のプロセスで採用してきたRCAT(recess channel array transistor)と呼ぶ3次元構造のセル・トランジスタ技術を採用している(Tech-On!関連記事)。生産効率は80nm世代の技術を用いた場合に比べて1.4倍,90nm世代の技術に比べると2倍に向上するという。

 60nm技術で量産するのは,2005年に開発した1GビットのDDR2方式DRAMだ。モジュールとしては,512Mバイト,1Gバイト,2Gバイトの3種類を提供する予定。1端子当たりのデータ転送速度は最大667Mビット/秒と800Mビット/秒の2タイプがある。

 Samsung社は2008年には60nm世代品がDRAM市場の主流になるとみており,市場規模は2009年に320億米ドルまで拡大すると予測する。