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 米Intel Corp.は,45nm世代のプロセサ向けロジックLSIに,メタル・ゲートと高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜を採用する。同社は,15種類を製品化する45nm世代のプロセサすべてに,これらの新材料を導入する。2007年下期にオレゴン州の「Fab D1D」とアリゾナ州の「Fab 32」,2008年上期にイスラエルの「Fab 28」でそれぞれ量産を始める。今回,Intelの半導体プロセス開発を指揮する同社Senior Fellow,Director of Process Architecture&IntegrationのMark T. Bohr氏が,本誌に対してその詳細を明らかにした。(NIKKEI MICRODEVICES3月号から