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 オランダASML社は,開口数(NA)1.35の液浸ArF露光装置「XT:1900i」を使って,37nmの線幅/線間隔パターンを解像した(リリース)。米国カリフォルニア州San Joseで開催中の「SPIE Advanced Lithography 2007」(公式サイト)でその成果を発表した。

 XT:1900iはASMLが2006年7月に発表した業界最大のNAを備える液浸露光装置である(Tech-On!関連記事1)。NA1.2の前世代機「XT:1700i」と同様にインライン型の反射屈折光学系を採用しており,スループットは131枚/時である。

 ASMLと液浸露光装置市場を競うニコンは,NA1.30の液浸ArF露光装置「NSR-S610C」を使って,39nmの線幅/線間隔パターンを解像できたことを2006年12月の「セミコン・ジャパン2006」で示していた(同2)。同社は,NSR-S610CのLSIメーカー向けの出荷を既に開始している(同3)。