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 「SPIE Advanced Lithography 2007」(米国カリフォルニア州San Jose)の初日の基調講演では,米IBM Corp.が液浸露光を22nm世代まで延命する意向を明らかにした。

 登壇したIBMのGamba氏は,液浸露光の重要技術としてモデリングを取り上げ,DFM(design for manufacturability)と超解像技術(RET:resolution enhancement technology)を同時に最適化することがカギになると語った。

TIがダブル・パターニングを有望視

 全体の基調講演では,IBMのGamba氏のほかに米Texas Instruments,Inc.のStork氏が講演した。同氏は,CMOSの微細化の物理限界が近づくにつれてパターニングのコストが増大している点を指摘し,今後のリソグラフィ・コストの予想を示した。そこでは,開口数(NA)が1.25や1.55のダブル・パターニングのコストが,EUV(extreme ultraviolet)露光のコストより低く見積もられている。異論もあるだろうが,ダブル・パターニングが有力技術として前面に出てきたことの表れといえる。

 続く「Optical Microlithography」のセッションでは,シンポジウム20周年を記念する基調講演に,台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd.(TSMC)のB.J.Lin氏が登壇した。同氏は,液浸露光のこれまでの技術の変遷と将来予測を語った。「リソグラフィを決めるのはコスト,技術課題が最後まで残るのは常にマスク」との見方を示すとともに,同氏が従来から主張してきたEB(電子ビーム)直描への今後の期待を示した。EB直描については,スループットが低い点をどう解釈するかが評価の分かれ目となりそうである。