PR

 「SPIE Advanced Lithography 2007」(米国カリフォルニア州San Jose)では,液浸露光とダブル・パターニング,そしてコストをキーワードに議論が展開している。液浸露光は試作から量産段階へ移行し始め,ドライ露光と同等の欠陥レベルが達成されるなどその成熟度を示す発表が続いた。ダブル・パターニングはまだ課題の洗い出しの段階にあり,今回は初めて独立セッションが設けられた。

ニコン,「高屈折率液体向け装置を2010年に」

 液浸露光については,量産への移行に伴う,プロセスと装置にかかわる細かい工夫が各種提案された。露光装置メーカーでは,オランダASML社がオーバーレイ6nm,フォーカス精度25nmといったパターニング結果のデータを示すとともに,パーティクルに対するEBR(edge bead removal)やウエーハ端部(ベベル)のエッジ・シールの効果を示した。

 ニコンは,高屈折率液体を使う液浸露光の可能性に言及した。同社は,2008年に材料が完成すれば,2010年に開口数(NA)が現状より高い液浸露光装置を実現できるとの見方を改めて示した。LSIメーカーでは,東芝とNECのグループがそれぞれ45nm世代のCMOSとSRAM,および55nm世代のロジックLSIのパターニング結果を披露した。

ダブル・パターニングの発表が相次ぐ

 ダブル・パターニングについては,液浸露光の延長技術として急速に浮上しているが,コスト増の懸念は解消できていない。技術的な課題も残されている。ダブル・パターニングでは位置合わせ精度がCD(critical dimension)に影響するためオーバーレイが厳しくなることが知られている。これに加えて,ASMLは,2回の露光条件が異なるためにCD値マッチングや計測(metrology)に問題を生じることを指摘した。

 韓国Hynix Semiconductor Inc.は,パターン分解が難しい場合の解決法や,CD形成におけるエッチングの影響を示した。そのほか,ベルギーIMECがRelaxプロセスを適用するなど,ダブル・パターニングにかかわるさまざまな手法が提案され始めている。これらが,今後のリソグラフィの方向性を提示できるかどうかが注目される。