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 「SPIE Advanced Lithography 2007」(米国カリフォルニア州San Jose)のEUV(extreme ultraviolet)露光向け光源のセッションでは,CO2レーザーを励起光源とし,SnをターゲットとするLPP(laser-produced plasma)光源の報告が注目を集めた。出力が発光点で90~110W,中間焦点で25~40Wと従来の2倍以上に高まったためである。

DPP光源との競争で挽回

 今回,CO2レーザー励起のLPP技術について報告したのは,極端紫外線露光システム技術開発機構(EUVA:Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association)および米Cymer,Inc.である(Tech-On!関連記事1同2同3同4)。出力ではEUVAが勝るが,ターゲット供給といった点ではCymerが進んでいる。今回の両グループの結果は,DPP(discharge-produced plasma)光源の最高出力には及ばないものの,今後の高出力化に期待が持てる。

 EUV光源は,2~3年前に出力が飛躍的に向上し実用化への期待が高まったが,2006年頃から出力向上が鈍り,実用化にかげりが見え始めていた。特に,放電型DPP光源の出力がLPP光源をしのいだことから,ここ1~2年,LPP光源は存在感が薄い状況が続いていた。今回の成果が明らかにしたように,ここに来てLPP光源が盛り返してきた。

 EUV光源については,このほか独Xtreme technologies GmbHとオランダPhilips Extreme UV GmbHがSnを使ったDPP光源の成果を報告した。ここでは,「2006 International EUVL Symposium」からの大きな進展は見られなかった。