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 「SPIE Advanced Lithography 2007」(米国カリフォルニア州San Jose)の「Advanced Mask II」セッションでは,HOYAがナノインプリント用テンプレート上に線幅/線間隔32nmのパターンを形成した結果を発表した。米Molecular Imprints, Inc.が,このテンプレートを使って線幅30nm/線間隔60nmのパターンを転写している。

 テンプレート上のパターン形成には,EB(電子ビーム)装置のほか,非化学増幅型レジストと組成を最適化した薄膜Cr層を利用した。これによって,ハーフピッチ32nmの石英ガラス・エッチング・パターンを得ている。

基材に起因するEUVブランクスの欠陥に対応

 このほかマスク関連では,米International SEMATECHがEUV(extreme ultraviolet)露光向けブランクス基材の洗浄技術を報告している(Tech-On!関連記事1)。それによると,EUVブランクスの欠陥の94%は基材に要因があるという。その内訳は,70%が付着異物(ソフト異物),20%が基材と密着した異物(ハード異物),残りの10%がピット欠陥とする。

 このうち,SEMATECHは通常の洗浄法では除去が難しいハード異物について,さまざまな薬液や洗浄手法の除去効果を評価した。除去に有効な薬液はハード異物の成分によって異なるが,ハーフピッチ32nmに対応する寸法の異物は除去が可能で,欠陥密度0.005/cm2を達成している。ただし,ハーフピッチ22nmでは除去すべき異物の寸法がさらに小さくなることから,さらなる工夫が必要となる。

EUVブランクスの吸収層は薄膜化の傾向

 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は,独自に成膜したRuキャッピング構造のEUVブランクスの構造を最適化した結果を示した。Ruキャッピング層の膜厚を最適値の2μmに設計するとともに,吸収層であるTaN層のパターン側壁によるShadowing効果を考慮して,吸収層の厚さを最適化している。

 それによると,吸収層の厚さは40nmが最適であり,この厚さではShadowing効果やパターン転写特性の劣化が見られないという。Samsungは,従来この値を約70nmとしていたことから,今回は吸収層の薄膜化を示唆したことになる。現状の光リソグラフィでは解像性と寸法特性を高めるために遮光膜の薄膜化が検討されており,EUVでもそれと同じ進化の方向が伺える。