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 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.(TSMC)は,65nmルールのDRAM混載技術に基づくLSIの動作検証を完了したと発表した(発表資料)。数百万ビットのDRAMを混載した米NVIDIA Corp.のGPUで,初回の試作で動作に成功したという。同社は,2006年第2四半期に65nmルールでDRAM混載チップの製造を始めており,生産開始も動作検証完了もファウンドリーとして初と主張している。

 65nm混載DRAMプロセスは,同社の65nmロジック・ライブラリと互換性を備える。最大10層の金属配線層で構成する。セル・サイズは,同じプロセスのSRAMに比べ1/4未満になるとした。4M~256Mビットのメモリ・マクロを揃えている。65nm混載DRAMおよびIPの利用に際しては,独自のDFMシステムにより,同社の設計手法「リファレンス・フロー 7.0」,同社およびサード・パーティ製の検証済みSRAMコンパイラ,I/Oおよび標準セル・ライブラリといったIPやライブラリなどを提供する。