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産業技術総合研究所(産総研)は,Si半導体の高集積化に向け,新しいイオン注入技術を開発した。Siの結晶性を損なわずに,500eV以下の低エネルギーでイオン注入できるという。表面から10nm以下の浅い領域へのドーピングが可能であり,かつ低抵抗を同時に実現したという。

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