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奈良先端科学技術大学院大学の研究グループと松下電器産業は共同で,タンパク質を吸着させたアモルファスSiに対し,5~6秒の加熱でSi結晶薄膜を得る技術を開発した。LSIなどに適用するSi結晶薄膜のプロセスは,ガラスやプラスチック基板には厳しい高温条件である上,膜内均一性などの問題から20時間ほどの長時間を要する。今回開発した技術では,これに比べ熱処理時間が約1万2000分の1と非常に短いことに加え,より低温で薄膜トランジスタ(TFT)を形成できる。また,結晶粒界(結晶の境界)の制御が可能であるためトランジスタを高性能化でき,リーク電流を少なくできるため低消費電力化が可能という。薄型ディスプレイやフレキシブルなフィルムとコンピュータを一体化した,シート状のコンピュータやウエアラブル・コンピュータといった応用展開を期待している。

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