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 日亜化学工業は,GaNを使う半導体レーザ/発光ダイオード(LED)の製造に関する基本特許を取得したことを明らかにした。成立したのは1998年9月3日,特許番号は第2540791号。すでに米国と欧州でも成立している。

 取得した特許は,青色の半導体レーザ/LEDを作製する際に不可欠なp型GaN膜の製造方法に関するもの。p型GaN膜はGaN膜にp型不純物をドープするだけでは形成できない。現在は,この膜を熱処理してp型にする方法が一般的に使われている。この方法自体を権利化したのが同特許である。

 特許請求の範囲の第1項は,「気相成長法により,p型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後,実質的に水素を含まない雰囲気中,400℃以上の温度で熱処理を行い,上記p型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体から水素を出すことを特徴とする製造方法」である。熱処理以外には電子線を照射する方法がある。しかしこの方法は生産性が低い。日亜化学工業の試算では5×5mm2の処理に約1時間かかるという。

 このため同社は「p型GaNを作製するには熱処理を用いるしかない。今後,特許を侵害している企業に対しては,製造/販売の差し止めや損害賠償などを求めていく」という。