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 米University of California,Santa Barbara校(UCSB) 教授の中村 修二氏の研究グループは,AlGaNのクラッド層を不要にした,非極性青紫色半導体レーザに関する論文を発表した。試作品はGaN層がクラッド層になる。AlGaNのクラッド層は青紫色半導体レーザにおいて,活性層が発する光を閉じ込めやすくするために幅広く利用されている。しかし「青紫色レーザの信頼性はAlGaNのクラッド層によって左右されると言っても過言ではない」(中村氏)という。今回,AlGaNのクラッド層を不要にしたことで,レーザ素子の信頼性向上が見込めるとする。GaN結晶の非極性面上にレーザ素子を作製することで実現した。論文は学会誌「Japanese Journal of Applied Physics(Vol.46,No.13,2007)」に掲載されている(pp.L284-L286に掲載)。

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