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 PRAMやMRAMの製品化を阻んでいた技術課題の克服に,ようやくメドが付いた。PRAMは書き込み電流が大きいという問題があったが,記憶素子の材料や構造を改良することで解決した。MRAMは,誤書き込みによる信頼性低下が問題だったが,書き込み技術の工夫によって解決した。さらにMRAMでは,65nm以降へと微細化するために必要な書き込み技術の開発も進んだ。これらの成果によって,新型不揮発性メモリーが既存メモリーにコストでも対抗できるようになる。

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