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 米Virage Logic Corp.は,冗長構成のSRAMブロックを生成できるメモリ・ジェネレータ「Custom-Touch STAR」を発売した(リリース文)。冗長性をもつことで,面積や速度,消費電力的には不利な面があるが,歩留まり向上を図れる。メモリ・ブロックの不良によって,システムLSI全体の歩留まり低下を防ぐことがねらいである。同社の調査によれば,6トランジスタ・セルの1MビットSRAMチップを0.25μmの半導体プロセスで作った場合,冗長性がないと歩留まりは44%程度という。2行と4列の冗長性をセル・アレイに加えることで,歩留まりを90%に上げられるとする。

 Custom-Touch STARは1ポートの同期式SRAMのジェネレータで,冗長な列や行をもつメモリ・ブロックを生成する。生成できる規模は4Kビットから1Mビットまで。冗長な列や行はレーザでプログラムするスイッチ「FuseBox」で切り換えて,不良箇所の代役を果たす。FuseBoxもCustom-Touch STARが自動生成する。メモリ・ブロックをBIST(built-in self test)方式に対応させることも可能である。

 今回の製品は,複数の半導体メーカやシリコン・ファウンダリの0.18μmプロセスで1999年12月から使えるようになる。