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 米Virage Logic Corp.と米MoSys, Inc.は,1トランジスタのメモリ・セルからなるSRAMを生成するメモリ・ジェネレータ「Custom-Touch 1T-SRAM」を共同開発し,両社から販売すると発表した(Virage社リリース文,MoSys社リリース文)。MoSys社が特許をもつ1トランジスタ・メモリ・セルSRAM技術と,Virage社のメモリ・ジェネレータ技術を組み合わせた。MoSys社は単体の同SRAMチップを市販しており,最大容量の品種は128Mビットという。

 今回のCustom-Touch 1T-SRAMは,1ポートで同期型のSRAM(メモリ・セルは一つのトランジスタで実現)を生成する。容量は512Kビット~64Mビット。BIST(built-in self test)回路を内蔵したり,冗長構成のSRAMを生成する機能を追加する予定。最初の製品は0.18μmの標準的なCMOS論理プロセスに向けて,2000年第1四半期の早い時期に出荷される予定。

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