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 東芝は,256MビットのシンクロナスDRAMのサンプル出荷を開始した(リリース文)。0.175μmのCMOSプロセスで製造する。電源電圧は+3.3V±0.3V。構成は3種類ある。すなわち,16ビット×4M語×4バンク,8ビット×8M語×4バンク,4ビット×16M語×4バンク。それぞれの構成で,最小サイクル時間が7.0ns,7.5ns,8.0nsの品種がある。サンプル価格は1万5000円。1999年12月から月産50万個の規模で量産する。同じ容量で+2.5V動作品を開発中。