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 ドイツBASF Future Business GmbHは,2007年7月18日から開催中の「オルガテクノ2007 有機テクノロジー展/国際会議」において,CMOS技術に向けた有機半導体材料の開発状況を語った。有機半導体材料と印刷技術によって,Siを用いる場合に比べてCMOSと比べて安く,簡単にCMOS回路を作製できるという。

 BASF 社は,p型の有機半導体材料としてP3HT(ポリ-3-ヘキシルチオフェン)を挙げる。印刷法で作製したトランジスタのキャリア移動度は0.07cm2/Vs,電流のオン/オフ比は104台である。n型の有機半導体材料としては,PDI8-CN2(N,N-ジオクチル-ジシアノペリレン-3,4:9,10-ビス(カルボキシミド))を挙げる。印刷法で作製したトランジスタのキャリア移動度は0.05~0.1cm2/Vs,電流のオン/オフ比はPDI8-CN2が106台である。P3HTとPDI8-CN2は共にサンプル出荷中とする。

 さらに新しいp型とn型の有機半導体材料を開発中という。開発中のp型材料は,真空蒸着法にて作製したときのキャリア移動度は0.04 cm2/Vsと低いが,電流のオン/オフ比は106台を確保できるとする。開発中のn型材料については,真空蒸着法にて作製したときのキャリア移動度が0.4cm2/Vs,電流のオン/オフ比が106台である。溶媒への溶解度は40mg/mlであり,PDI8-CN2の6mg/mlと比べて向上したとする。p型とn型の有機材料共に溶媒を用いた印刷法で,蒸着法と同程度のキャリア移動度を目指す考え。

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