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 台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.は,設計ルール0.25μmの論理LSI中に埋め込めるDRAMブロックを発表した(リリース文)。同社によれば,0.25μmの論理LSI向けのDRAMブロックを発表するファウンダリははじめてという。

 同社の埋め込みDRAMは,論理LSIのプロセスに2枚のマスクを追加することで実現できる。メモリ容量は1Mビットから64Mビットまで。スタックト・キャパシタ・セルの大きさは0.78μm2。今回のDRAM混載論理LSIの最初のユーザは米Silicon Magic Corp.(ホームページ)。