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写真は,1チップBluetooth用LSIと,フラッシュEEPROM,VCO,アンテナを集積したモジュール。Bluetooth用LSIは,隣あっている黒いパッケージのLSIの右側である(金属のアンテナに近いほう)。Cambridge社の文字が白字で刻まれている。
写真は,1チップBluetooth用LSIと,フラッシュEEPROM,VCO,アンテナを集積したモジュール。Bluetooth用LSIは,隣あっている黒いパッケージのLSIの右側である(金属のアンテナに近いほう)。Cambridge社の文字が白字で刻まれている。
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1チップのBluetoothインタフェース用LSIが,早くも登場する。英Cambridge Silicon Radio社は,1チップのBluetooth用LSIを,2000年2月からサンプル出荷することを明らかにした。Bluetooth開発者向け会議の前日から始まった「Exhibition」で公開したもの。

  Bluetoothインタフェースに必要なRFトランシーバ機能と,ベースバンド処理機能,マイクロコントローラ機能,そしてメモリ機能を1チップに納めた(写真)。RF部分も含めて,0.35μmルールのCMOS技術で製造する。1チップ品の登場は,2000年の第4四半期以降と見られていたが,大幅に前倒ししたかたち。1チップ品の開発には10社以上の半導体メーカが名乗りをあげているが,これらのメーカの開発が加速する可能性も出てきた。

  同社は,高周波CMOS技術を強みとするファブレス・メーカで,ページャ向けLSIなどで高周波CMOS技術を使った設計実績がある。1チップ品を開発できた理由については「スウェーデンEricsson社などとの情報交換を数年前から行なっていた。当初から1チップ化をねらって開発を進めてきた。開発期間は約40カ月である」(英Cambridge Silicon Radio社,Marketing ManagerのMatthew Philips氏)とする。

  LinkManager機能などのファームウエアは,外付けのフラッシュEEPROMに格納する。UARTのインタフェースを備える。受信部の最小受信感度は-85dBm。パッケージは80ピンのBGA。電源電圧は+3.0Vで,消費電流は標準で50mA~60mA。量産出荷は2000年6月の予定。サンプル価格は10米ドル~15米ドルという。現在のところ,国内の販売代理店は保有しないが,「3社の代理店と交渉中。2000年1月には決まるだろう」(Matthew氏)と述べた。