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 米Massachusetts Institute of Technology(MIT)のYet-Ming Chiang氏らの研究グループは,鉛を含まない圧電素子を試作した。PZTなどの鉛を含む圧電素子の代替材料として使える。従来も鉛を含まない圧電素子はあったが,実用上十分な体積変化が得られなかったという。

 今回の圧電素子では,単結晶のInGaN系材料を使う。さらに同研究グループは,この材料を連続的に結晶成長させることに成功した。この材料を使ってファイバ状の圧電素子を作り,アクチュエータなどへの応用も試みるという。