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ロームと立命館大学の研究グループは,キャリア移動度が133cm2/Vsと高いノーマリー・オフ動作可能なGaN系MOSFETを試作し,素子の特徴などについて2007年9月16~21日まで米国ラスベガスで開催されている「ICNS-7」で発表した(講演番号:N4)。しきい値電圧は5.1Vである。主にMOS構造を採用することでノーマリー・オフ動作を実現している。試作品のチャネル長は0.6μm,チャネル幅は560μm,相互コンダクタンスは6.9mS/mmである。

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