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松下電器産業は,GaN結晶のa面と呼ばれる非極性面を利用したGaN系MIS型HFETを試作,ノーマリー・オフ動作を実現した。しきい値電圧は1.3Vである。電源回路のスイッチング素子への利用を目指す。同社は非極性面を利用したGaN系半導体にゲート電極を直接設けるショットキー型HFETを試作したものの,閾値電圧は-0.5Vとノーマリー・オフ動作しなかった。さらに今回のMIS型品は電気特性も向上している。ドレイン電流は112mA/mmと,非極性面を利用した同社のショットキー型HFETの19.5mA/mmに比べて5倍以上に高めた。オン抵抗も抑制している。今回の試作品に関して,2007年9月18~21日につくば国際会議場で開催された「SSDM2007」で発表した。

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