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 情報通信研究機構(NICT)と富士通研究所の研究グループは,遮断周波数が190GHz,最大発振周波数が227~241 GHzと高いGaN系HFETを試作した。これらの特性は「世界最高クラス」(登壇者)とする。今回の研究について,2007年9月16~21日まで米国のラスベガスで開催していた「ICNS-7」で発表した(講演番号:DD7)。

 今回,周波数特性を高めることができたのは,基板を4H-SiCに変更し,その上に形成するGaN系結晶の品質が向上したため。4H-SiC基板上にGaN層,AlGaN層,絶縁膜となるSiN層の順に積層した構造を採る。ゲート長は60nmで,ソースとドレイン間の距離は2μmである。同グループの従来試作したGaN系HFETではサファイア基板を利用していた。サファイアよりもGaN系半導体と格子定数や熱膨張係数が近い4H-SiCを採用することでHFETの結晶品質が向上したという。
 
 そのほかの仕様は以下のとおり。ドレイン電流は最大1.6A/mm,相互コンダクタンスは424mS/mm。耐圧は30~40Vである。

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