PR

 米Kyma Technologies, Inc.と米North Carolina State Universityの研究グループは,c面GaN基板からm面を切り出して再成長させたm面GaN基板を試作した。2007年9月16~21日に米国のラスベガスで開催された「ICNS-7」で発表した(講演番号:F4)。

 GaN結晶のm面は非極性面の一つ。非極性面とは,GaN結晶で一般的に利用されるc面と垂直な面である。GaN系のLEDや半導体レーザ,高周波素子,電源回路向けスイッチ素子などではGaN結晶のc面が利用されている。非極性面を利用すれば,GaN系半導体素子の特性の向上が見込める。例えば発光素子の場合,発光効率の向上につながる可能性がある。そのため,非極性面に関する研究開発が盛んになっており,非極性面の基板に対する要求が高まっている。同グループのほか,三菱化学も非極性基板の研究開発に取り組んでいる(Tech-On!関連記事)。

 今回の試作品は,c軸方向に成長させたGaN結晶から切り出したm面GaN基板を再成長させたもの。c軸方向,m軸方向の成長にはいずれもHVPE法を利用した。m面を切り出した後にはCMPによって研磨している。大きさは4mm×8mm。転位密度は106~105cm-2台である。

この記事を中国語で読む