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 ドイツInfineon Technologies AGは,第3世代(3G)移動体通信用RFトランシーバの新製品を米Motorola, Inc.と開発すると発表した(発表資料)。新製品開発について,Motorola社と契約を締結したという。Infineon Technologies社のチップ「SMARTi UE」をベースに,HSDPAやHSUPAに対応した1チップ製品を開発する。

 SMARTi UEは,1~6および8~10バンドのUMTS方式の組み合わせと4バンドのEDGE方式に対応する。EDGE方式とW-CDMA方式のアナログ信号処理機能に加えて,アナログのベースバンド機能や,パワー・アンプとフロントエンドの制御機能を内蔵する。Infineon Technologies社の130nmのCMOS技術で製造する。パッケージは6mm×6mmのBGA。SMARTi UEは,一部顧客へのサンプル出荷が始まっているが,量産開始は2008年後半の予定である。

 加えてInfineon Technologies社は,米International Rectifier Corp.(IR社)から,IR社のパワーMOSFET用パッケージ技術「DirectFET」のライセンス供与を受けることで合意したと発表した(発表資料)。

 DirectFET技術は,パソコンや民生電子機器用のAC-DCコンバータやDC-DCコンバータなどに向けたパッケージ技術。金属パッケージを使うことで,パッケージの上下両面から放熱し,パッケージに収めるパワーMOSFETの放熱性を高めている。IR社によれば,高周波で動作するDC-DCコンバータの電流処理能力を,ディスクリート部品用の標準プラスチック・パッケージと比べて,実質的に2倍に高められるという。

 Infineon Technologies社は,DirectFET技術を採用したパワーMOSFET「OptiMOS2」と「OptiMOS3」を開発し,2008年の初めにOptiMOS2をサンプル出荷する予定としている。