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バンプ形成後のウエハーを展示
バンプ形成後のウエハーを展示
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120μmピッチを実現
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工程を半減できる
工程を半減できる
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改良した無電解めっきを採用
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独自のスクリーン印刷技術で高精度化を達成
独自のスクリーン印刷技術で高精度化を達成
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 京セラは,独自に開発した低コストのウエハー・バンプ形成技術を「CEATEC JAPAN 2007」に展示した。携帯機器を中心に採用が増えているフリップチップ実装の低コスト化を可能にするという。この技術は同社が2002年から内製向けに使ってきたもので,2007年10月から外販することを既に発表している(関連記事)。

 従来の電解めっきによるバンプ形成手法ではレジスト工程が必要であり,設備償却が終わった生産ラインでもウエハー当たりのバンプ形成コストが1万数千円と高かった。京セラが開発した無電解めっき技術と高精度のスクリーン印刷技術を利用すればレジスト工程が不要となり,新たに設備を導入した場合でもウエハー当たりのバンプ形成コストを8000~1万円に抑えられるとする。

 従来の無電解めっきでは様々な種類のパッド電極材料に対応できないといった問題があったが,京セラではめっき液の改良によって解決した。スクリーン印刷に関しても,従来は位置合わせ精度が低くバンプ・ピッチの短縮が難しかったが,印刷ヘッドなどの工夫によって120μmピッチのバンプを形成できるようにした。

 無電解めっきとスクリーン印刷技術の組み合わせは以前から提案されていたが,技術的な障壁が高かったため,多くのメーカーが開発をあきらめてしまったという。京セラは技術課題を解決し,同社の熱転写式プリント・ヘッドの製造においてドライバICのフリップチップ実装に利用してきた。150mmウエハーで1000枚/月規模のウエハー・バンプ形成を5年間続けているという。

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