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45nmプロセスで2層Cu配線を形成した300mmウエハー
45nmプロセスで2層Cu配線を形成した300mmウエハー
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自己形成バリヤー膜(1)
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自己形成バリヤー膜(2)
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 東芝は自己形成バリヤー膜を使ったCu配線技術を「CEATEC JAPAN 2007」に展示した。2009~2010年に量産化する32nm世代プロセスへの利用を目指す。今回は45nmプロセスで2層のCu配線を形成した300mmウエハーを展示した。

 自己形成バリヤー膜は,従来のALD(atomic layer deposition)法で形成した膜に比べて密着性や品質が高いとされており,次世代Cu配線への応用が期待されている。今回の技術は東芝が2005年から学会で発表してきたもの(関連記事)。絶縁膜の溝にCuMnをスパッタで形成し,Cuを埋め込んでから加熱すると,Mnが拡散し絶縁膜との界面で酸素と反応してバリヤー膜(MnOxまたはMnSixOy)を形成する。バリヤー膜の膜厚は2~3nmと薄いのでCu配線の実効的な断面積を増やせる。また,下層と上層の配線を接続するビア底部には酸素がないためバリヤー膜が形成されず,配線の接続信頼性を高められるという。

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