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図 GaN基板を利用したノーマリー・オフ動作可能な縦型MOSFETの展示品。
図 GaN基板を利用したノーマリー・オフ動作可能な縦型MOSFETの展示品。
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図 展示の様子。
図 展示の様子。
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 ロームは,GaN基板を利用したノーマリー・オフ動作可能な縦型構造のGaN系MOSFETを試作した。同社は立命館大学と共同で,既にサファイア基板を利用して,キャリア移動度が133cm2/Vsと高いノーマリー・オフ動作可能なGaN系MOSFETを試作している(Tech-On!関連記事)。今回は,絶縁性のサファイア基板から導電性のGaN基板に変更してドレイン電極を基板裏面に設けることで縦型構造にした。キャリア移動度も「サファイア基板品と同程度」(説明員)だという。サファイア基板でゲート電極やソース電極と同じ表側に設けていたドレイン電極を基板裏面に付けた分,MOSFETの面積を削減できた。サファイア基板を利用した場合に比べて「チップ面積を30~40%削減した」という。

 このほか会場ではサファイア基板を利用したMOSFETを使い,ノーマリー・オフ動作することを実演している。ゲート電圧を0~7Vにして駆動させ,しきい値電圧を超えてドレイン電流が流れる様子を画面に表示している。