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 無線通信用チップの開発を手掛けるファブレス・メーカの米GCT Semiconductor,Inc.(ホームページ)は,近距離無線データ通信技術「Bluetooth」に向けたチップ・セットを開発した。

  同チップ・セットは,トランシーバLSI「GDM1100」とベースバンドLSI「GDM1101b」で構成する。Bluetoothの仕様「Version 1.0b」に準拠し,class2とclass3に対応する。製造には,設計ルール0.25μmのCMOS技術を用いた。同社は,同チップ・セットの製造を台湾UMC(United Microelectronics Corp.)に委託する。サンプル出荷はすでに始めている。

  GDM1100は,LNA,ミキサ,VCO,PA,帯域通過フィルタのほか,A-D変換器やD-A変換器など,アンテナやバランを除くRF回路を構成する部品をすべて集積する。PAの出力は0dBmである。GDM1100bは,32ビットのRISC型マイクロコントローラを集積する。