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　台湾TSMC（Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.）は，上層２層がCu配線になる0.18μmルールのプロセスで，LSIの製造が可能になったと発表した（リリース文）。同社によれば，Cu配線プロセスを商用化したシリコン・ファウンダリは同社が初めてという。TSMCは，Cu配線プロセスを自社の研究開発所で独自開発した。

　今回のプロセスは６層配線で，上層２層にCuを使う。Cu配線を上層２層に限定したことで，６層全層がAlのプロセス向けの回路ライブラリがそのまま使える。顧客の要望があれば，全層Cu配線でも製造できる。同社の研究開発所では，設計ルール0.15μmと0.13μmでも，Cu配線の開発に着手している。