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　カナダMOSAID Technologies Inc.は，カナダATMOS Corp.（ホームページ）と組んで，DRAMモジュール・ジェネレータを開発中であると発表した（リリース文）。システムLSIに内蔵されるDRAMブロックの生成をねらう。まず，0.18μmルールの製造プロセス向けにジェネレータを出す。このプロセスでは，生成したDRAMは200MHz以上で動作する。マルチ・バンク構成。アクセス時間は15ns。最大64MビットのDRAMが生成可能という。

　ジェネレータの開発に当たっては，MOSAID社がDRAMのアーキテクチャおよび回路技術を，ATMOS社がEDAやソフトウエア技術を提供する。MOSAID社は自社技術のライセンスをATMOS社に供与し，ATMOS社が完成したDRAMジェネレータを市販する。

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