シンガポールChartered Semiconductor Manufacturing Ltd.は，1999年第４四半期／通年の決算と2000年以降の生産能力などについて発表した（リリース文）。1999年通年の売上高は対前年比64％増の6億9430万米ドルと過去最高を記録した。1999年第４四半期の売り上げも，前年同期の２倍を超え，2億1620万米ドルと好調だった。また，同四半期の純利益は2210万米ドルと，前年同期の7720万米ドルの損失と比べると，1億米ドルに迫る回復をみせた。1999年通年の損益は，3260万米ドルの損失だが，前年の1億9000万米ドルの損失から比べると，大きく改善した。業績が好調な理由として，同社は出荷量の増加，設備稼働率の向上，平均単価の上昇を挙げている。
同社は，2000年以降の生産能力の増強計画についても発表した。2000年は既存工場の増強を図り，2000年末の生産量を，1999年の７0万枚（８インチ・ウエーハ）から97万枚に引き上げる。さらに，2000年中に８インチの新規工場の建設に着工する。0.15μmの製造プロセスで，６万枚/月の生産能力をもつ予定。2001年の生産量は140万枚に達すると見込む。
12インチ工場建設の予定は，今のところない。「12インチは１品種大量生産型のDRAMやマイクロプロセサに向く。当社はシステムLSIや通信用ASSPなど，フォーカスを絞った製品に重点を当てる。小回りがきく，８インチ・ウエーハの方が都合が良い」（Chartered社Senior Vice President Business Operations, Rob Baxter氏）。
米Motorola社から
Cu配線のプロセス技術を導入
また，Baxter氏は日経エレクトロニクスの取材に対して，Cu配線技術など，新しいプロセス技術の導入についても明らかにした。Cu配線に関しては二つのプロジェクトを進めている。一つは米Lucent Technologies, Inc.と共同で米国フロリダ州で進めている。0.18μmおよび0.15μmのプロセスで，Cu配線に対応する。このプロセスは高密度/低消費電力のチップに適用する。
もう一つは，米Motorola，Inc.から導入する「HiPerMOS」。低誘電率絶縁膜（いわゆるlow-k)を採用した0.15μmのプロセス。全層Cu配線。このプロセスは高速のチップに適用する。こちらの方が，先に量産に入る。「2000年中にはCu配線のHiPerMOSで作るウエーハを量産する予定」（Baxter氏）。また，HiperMOSでは，マスク・レイアウトの最適化技術のOPC（optical proximity correction）や位相シフトも活用する。
なお，Cu配線と共に，米IBM Corp.が宣伝しているSOI（silicon-on-insulator) やSiGeトランジスタについては，「現時点では導入の予定を明らかにできない」（同氏）という。
