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開発したC60 TFT。電極はシャドウ・マスクで形成した。
開発したC60 TFT。電極はシャドウ・マスクで形成した。
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Georgia工科大の研究チーム。中央がKippelen氏。
Georgia工科大の研究チーム。中央がKippelen氏。
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 米Georgia Institute of Technologyは,室温プロセスでフラーレン(C60)を半導体材料として用いるTFTを製造し,2.7~5cm2/Vsという高い電子移動度の値を確認したと発表した。「C60トランジスタでは6cm2/Vsという電子移動度の発表例があるが,高温のHWE(hot wall epitaxy)法を使う。室温でこれだけ高いキャリヤ移動度を得られたのは我々が初めて」(同大学)と主張する。

 開発したのは,同大学 Center for Organic Photonics and ElectronicsのProfessor Bernard Kippelen氏の研究グループ。窒素雰囲気下で気化させたC60を,ゲート電極や絶縁層を形成したSi基板上に積層し,さらにその上にソース電極とドレイン電極を形成した。

 C60を半導体に使うトランジスタの性能はこの1年で急激に向上している。従来は電子移動度が1cm2/Vs前後だったが(関連記事),2006年秋に東京大学の研究チームが赤外線レーザを使った分子線エピタキシャル(MBE)法で,従来の5倍近い電子移動度4.9cm2/Vsを実現したと発表した。続いて,2006年11月には,英Imperial College LondonとオーストリアJohannes Kepler Universityの研究グループがHWE法で電子移動度6cm2/Vsを実現したとする論文を発表した。

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