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 米IBM Corp.は,同社のCu配線技術を用いた次世代ASIC向け製造技術「Cu-11」に,低誘電率の層間絶縁材料を採用することを明らかにした。誘電率の値など技術の詳細は明らかにしていないが,チップ内配線間のクロストークを抑制できることによって,LSIの動作周波数を従来比で約30%向上できる可能性を秘めているとしている。通信機器やサーバに搭載するシステムLSIへの応用に向けている。今回採用した技術を用いた最初のチップは2001年に登場する見込み。

 Cu-11は,最小加工線幅が0.13μmのASIC向け製造技術である。トランジスタの実行チャネル長は,0.11μmである。Cu-11向けの設計ツールの登場と設計支援サービスの開始は,2000年6月になる見込み。

 IBM社が採用する低誘電率の層間絶縁材料は,米Dow Chemical Co.製の絶縁材料「SiLK」を,ウエーハに回転塗布する。既成の材料とLSIの製造に一般的に使っている回転塗布装置を利用することで,製造コストが増加することなく低誘電率の層間絶縁膜を形成できるという。