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 台湾TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)は,0.18μmのRF CMOSプロセスを使ったBluetooth用1チップLSIの製造を開始した(発表資料)。

提供先は,米国カリフォルニア州のファブレス・メーカであるZeevo,Inc.。TSMCはこれまでも,同社のRF CMOSプロセスでBluetooth向け1チップLSIの製造を行なってきたが,0.18μmのプロセスを使って供給するのは,Zeevo社が初めてになる。

TSMC社のRF CMOSプロセスは,トランジスタの遮断周波数が62GHzと高い。製造するLSIは,Bluetoothのベースバンド処理回路と,RFトランシーバ回路をともに備える,いわゆる「1チップBluetooth」である。LSIの電源電圧は,内部が1.8V,入出力が3.3Vになる。