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 米RF Micro Devices、Inc.(ホームページ)は、SiGe HBT技術を使って製造した無線通信用IC市場に参入すると発表した。これまで同社は、Siに関してはバイポーラ技術とバイCMOS技術、CMOS技術、GaAsに関してはHBT技術とMESFET技術を使った無線通信用ICを販売してきた。これにSiGe HBT技術を加える。製造は米IBM Corp.が開発した「SiGe 5HP」プロセス技術を採用する。

 最初に投入する製品は、CDMA対応の携帯電話機に向けた900MHz帯LNA/ミキサIC「RF2461」である。「従来CDMAでは、LNAとミキサを集積したICはなかった。今回が業界初」(同社)。1チップに集積したことで、2チップ構成に比べて、コストの低減、実装面積の削減が実現できるという。

 パッケージは、実装面積が4mm×4mmのLPCC-20である。利得のダイナミック・レンジは30dB。雑音指数やIP3などの特性は、IS-95で定めた仕様に準拠している。具体的には、雑音指数はLNAが1.8dB、ミキサが5.7dBである。1万個購入時の米国での単価は1.87米ドル。