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 三菱電機は,太陽電池に関する国際会議「PVSEC-17」で,多結晶Siセルの変換効率を18%に高めた成果を披露した。公的認証機関の産業技術総合研究所での測定結果である。「標準的な電極構造では最も高い数値。既存の製造ラインを活用できる利点がある」(同社)。三菱電機のほかには,京セラがバック・コンタクト構造を使って多結晶Siセルの変換効率を18.5%に高めている。

三菱電機は,2000年の国際会議で多結晶Siセルの変換効率を16.8%に高めた結果を発表している。今回は,(1)表面の凹凸を制御するRIEテクスチャ技術で17.3%に,これに(2)ダングリング・ボンドを水素で終端する技術を加えて17.7%に,さらに(3)配線の面積を減らす技術で18%まで高めた。

 (1)のRIEテクスチャ技術は,直径が3μmのシリカの粒子をマスクとして,エッチングでウエーハ表面に数μmの凹凸を形成する技術である。シリカを含んだ溶液をウエーハ上に塗布することで自己整合的にシリカを並べているため,マスク形成コストを最小限に抑えられるとする。

 (2)の水素終端技術と(3)の電極面積削減技術は,すでに一部の量産ラインに適用済みという。残る(1)は,新ライン導入時に適用を検討する。なお三菱電機は,2010年までに年間生産能力を250MWに高める計画を公表している。

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