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　伊仏合弁のST Microelectronics社は、従来品に比べてオン抵抗を1/3～1/4に削減したパワーMOS FET「STP12NM50」を発売した（ニュースリリース）。耐圧は500Vで、オン抵抗は標準で0.3Ωである。パッケージはTO-220。「従来品に比べるとオン抵抗は1/3～1/4に削減できる。

　これをスイッチング電源に使えば、変換効率が最低でも2％向上し、さらにヒートシンクを約40％小型にできる」（ST Microlelectronics社）という。同社では、開発品に適用した技術を「MDmesh（Multiple Drain mesh）」と呼んでいる。ゲート容量は、従来品に比べて約40％小さい21nCを実現している。ドレイン電流は12A、アバランシェ耐量は400mJ、dv/dt（peak diode recovery voltage slope）は6V/nsである。

　このほか、DPAKに封止した「STD5NM50」もある。耐圧は500Vで、オン抵抗は最大0.8Ω、ドレイン電流は5Aである。