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 インターナショナル レクティファイアー ジャパン(IR)(米International Rectifier Corp.のホームページ)は、二つのnチャネル・パワーMOS FETとショットキ・バリア・ダイオードを1パッケージに収めたスイッチング素子「デュアルFETKY(製品名はIRF7901D1)を発売した(ニュースリリース)。ノート・パソコンなどの電池駆動機器のDC-DCコンバータに向ける。

 発売した素子は、ハイサイド・スイッチのコントロールFETと、ローサイド・スイッチの同期FET、同期FETとに並列に接続したショットキ・バリア・ダイオードの三つからなる。こうした構成を採用することで、スイッチング動作のデッド・タイム時に流れる貫通電流を防ぐことができるという。さらに別チップで実現した場合に比べると、プリント回路基板の浮遊インダクタンスを低減できるというメリットもある。この素子を使ったDC-DCコンバータの変換効率は、出力電圧が5.0Vの場合に最大96%、3.3Vの場合に最大94%である。耐圧は30V。採用したコントロールFETのオン抵抗は28.5Ω、ゲート電荷は2.3nC。同期FETのオン抵抗は22mΩ。ショットキ・バリア・ダイオードの順方向電圧は0.48V(1Aのとき)である。パッケージは8ピンSOP。サンプル価格は160円。量産は2000年第2四半期から始める予定。

 このほパワーMOS FETとショットキ・バリア・ダイオードを1パッケージに収めた「IRF7807D1/IRF7807D2」もある。パッケージは8ピンSOP。サンプル価格は、IRF7807D1が90円、IRF7807D2が100円。いずれの製品ともに量産を始めている。連絡先は、IR マーケティング・コミュニケーションズ 営業部、電話(03)3983-0086、もしくはアイ・ビイ・アイ、電話(03)3230-1835。